MT25QL01GBBB8ESF-0AAT, Флеш память, Последовательная NOR, 1 Гбит, 128M x 8bit, SPI, WSOIC, 16 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 600 ֏
от 5 шт. —
24 100 ֏
от 10 шт. —
23 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 25 600 ֏
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
Технические параметры
| IC Case / Package | WSOIC |
| Interfaces | SPI |
| Memory Configuration | 128M x 8bit |
| Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
| Конфигурация Флэш-памяти | 128М x 8бит |
| Линейка Продукции | 3V Serial NOR Flash Memories |
| Максимальная Рабочая Температура | 105°C |
| Максимальная Тактовая Частота | 133МГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.7В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 3В |
| Плотность Памяти | 1Гбит |
| Размер Памяти | 1Гбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | WSOIC |
| Тактовая Частота | 133МГц |
| Тип Flash Памяти | Последовательная NOR |
| Тип Интерфейса ИС | SPI |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 hours |
| Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1231 КБ
