NCD57090CDWR2G, Gate Driver, 1 Channel, Isolated, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, Inverting, Non-Inverting
![Фото 1/2 NCD57090CDWR2G, Gate Driver, 1 Channel, Isolated, IGBT, MOSFET, 8 Pins, WSOIC, Inverting, Non-Inverting](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306659.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/232/DOC028232532.jpg)
3 250 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
2 720 ֏
от 100 шт. —
2 190 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 13 000 ֏
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов
The ON Semiconductor NCD57090 are high−current single channel IGBT/MOSFET gate driver with 5 kVrms internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high power applications.
Технические параметры
Тип входа | Inverting, Non-Inverting | |
Gate Driver Type | Isolated | |
IC Case / Package | WSOIC | |
Задержка Выхода | 60нс | |
Задержка по Входу | 60нс | |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
Количество Каналов | 1канал(-ов) | |
Конфигурация Привода | Изолированный | |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C | |
Максимальное Напряжение Питания | 20В | |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C | |
Минимальное Напряжение Питания | 3.1В | |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) | |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET | |
Ток истока | 6.5А | |
Ток стока | 6.5А | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
Fall Time | 13ns | |
Output Current | 6.5 A | |
Package Type | SOIC | |
Pin Count | 8 | |
Supply Voltage | 22V | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet NCD57090CDWR2G
pdf, 1974 КБ