NST30010MXV6T1G Dual PNP Transistor, -100 mA, -30 V, 6-Pin SOT-563
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
380 ֏
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 9 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Транзисторы общего назначения PNP, до 1 А, ON Semiconductor
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | -30 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -30 V |
Maximum DC Collector Current | -100 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 661 mW |
Minimum DC Current Gain | 420 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-563 |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Type | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 661 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.55 mm |
Длина | 1.6 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 10 uA, 5 V, 420 at 2 mA, 5 V |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Серия | NST30010MXV6 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Ширина | 1.2 mm |
Вес, г | 6 |