Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В ...

NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 700 ֏

1 130 ֏

от 15 шт. — 1 110 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 130 ֏

Номенклатурный номер: 9000425920

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Trench6 N-Channel MV MOSFETs onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	69
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.004 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	30.5
Корпус	SO-8FL
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	5вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора	DFN
Рассеиваемая Мощность	30.5Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	69А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0032Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Пороговое Напряжение Vgs	2.1В
Вес, г	0.7