RFN10BGE3STL, Fast / Ultrafast Diode, 350 V, 10 A, Single, 1.5 V, 30 ns, 80 A
![RFN10BGE3STL, Fast / Ultrafast Diode, 350 V, 10 A, Single, 1.5 V, 30 ns, 80 A](https://static.chipdip.ru/lib/460/DOC008460410.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2500 шт., срок 9-11 недель
1 560 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
1 430 ֏
от 100 шт. —
1 050 ֏
7 шт.
на сумму 10 920 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors - Discretes\Diodes & Rectifiers\Fast & Ultrafast Recovery Rectifier Diodes
Технические параметры
Average Forward Current | 10A |
Diode Case Style | TO-252(DPAK) |
Diode Configuration | Single |
Forward Surge Current | 80A |
Forward Voltage Max | 1.5V |
No. of Pins | 3 Pin |
Operating Temperature Max | 150°C |
Repetitive Peak Reverse Voltage | 350V |
Reverse Recovery Time | 30ns |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг