RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 400 ֏

870 ֏

от 15 шт. — 850 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 870 ֏

Номенклатурный номер: 994689779

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.014 Ом/70А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	150
Корпус	TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе	4
Вес, г	2.5