RGTH80TS65DGC13, TRANSISTOR, IGBT, 650V, 70A/234W/TO247GE
![RGTH80TS65DGC13, TRANSISTOR, IGBT, 650V, 70A/234W/TO247GE](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт., срок 9-11 недель
6 700 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
5 600 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 13 400 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 70А |
Power Dissipation | 234Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Field Stop Trench Series |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247GE |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 926 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг