RGTH80TS65GC13, БТИЗ транзистор, 70 А, 1.6 В, 234 Вт, 650 В, TO-247GE, 3 вывод(-ов)
![RGTH80TS65GC13, БТИЗ транзистор, 70 А, 1.6 В, 234 Вт, 650 В, TO-247GE, 3 вывод(-ов)](https://static.chipdip.ru/lib/149/DOC022149948.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 шт., срок 9-11 недель
5 900 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
4 890 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 11 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
ROHM Field Stop Trench IGBT is an IGBT with high speed switching. It has low collector emitter saturation voltage .
Технические параметры
Configuration | Single Collector, Single Emitter, Single Gate |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 70 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
Maximum Power Dissipation | 234 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247GE |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 880 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг