RGW00TK65DGVC11, БТИЗ транзистор, 45 А, 1.5 В, 89 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 шт., срок 9-11 недель
6 400 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
5 400 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 12 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 45А |
| Power Dissipation | 89Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
| Вес, г | 6.35 |
Техническая документация
Datasheet RGW00TK65DGVC11
pdf, 1929 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
