RGW50TS65GC11, TRANSISTOR, IGBT, 650V, 50A/156W/TO-247N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 9-11 недель
4 850 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
4 140 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 14 550 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 50А |
| Power Dissipation | 156Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Trench |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 6.42 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 6 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 10 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
