RN4606(TE85L,F)
![RN4606(TE85L,F)](https://static.chipdip.ru/lib/784/DOC006784946.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. с центрального склада, срок 9 дней
328 ֏
1 шт.
на сумму 328 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT PNP NPN 100mA -50V
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Количество каналов | 2 Channel |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Конфигурация | Dual |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA, 100 mA |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V, 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V, 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA, 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RN4606 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 0.1 |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SOT-26-6 |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet RN4606(TE85L,F)
pdf, 730 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг