SI1416EDH-T1-BE3, MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SC-70
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
Мин. кол-во для заказа 22 шт.
от 25 шт. —
392 ֏
от 50 шт. —
338 ֏
Добавить в корзину 22 шт.
на сумму 11 880 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 30V N-CHANNEL (D-S)
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.047Ом |
| Power Dissipation | 2.8Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchFET Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 3.9А |
| Полярность Транзистора | N Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.4В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.8Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.047Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.56 W |
| Qg - заряд затвора | 3.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 58 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 60 ns |
| Время спада | 45 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | SC-70-6 |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.9 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Part # Aliases: | SI1416EDH-T1-GE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.56 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 58 mOhms |
| Rise Time: | 30 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 265 КБ
Datasheet
pdf, 264 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 63 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 63 КБ
