SI2308A, Транзистор N-MOSFET 60В 2А [SOT-23-3]
![Фото 1/2 SI2308A, Транзистор N-MOSFET 60В 2А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
4750 шт. с центрального склада, срок 9 дней
22 ֏
от 100 шт. —
18 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 22 ֏
Описание
Описание Транзистор MOSFET SOT23
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80 мОм/3A, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 | |
Крутизна характеристики, S | 4.6 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet SI2308A
pdf, 1497 КБ
Datasheet UMW SI2308A
pdf, 1449 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 июля1 | бесплатно |
HayPost | 16 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг