Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › VBsemi › SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET ...

SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8633 шт. с центрального склада, срок 9 дней

170 ֏

116 ֏

от 100 шт. — 108 ֏

1 шт. на сумму 116 ֏

Посмотреть аналоги1

Номенклатурный номер: 9000982600

Бренд: Vbsemi Electronics Co., Ltd.

Описание

N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.3A, TO-236, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2.3A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.13ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V, Threshold Voltage Vgs:3V , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	3.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.086 Ом/1.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.66
Крутизна характеристики, S	5
Корпус	SOT-23-3
Вес, г	0.05