SI2309A, Транзистор P-MOSFET 60В 1.25А [SOT-23-3]
![SI2309A, Транзистор P-MOSFET 60В 1.25А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5738 шт. с центрального склада, срок 9 дней
45 ֏
от 100 шт. —
39 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 45 ֏
Описание
SOT-23 MOSFETs ROHS VDS (V) =-60V ID =-1.25 A (VGS =-10V) аналог:SI2309A, UMWSI2309A
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.25 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 340 мОм/1.25A, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 | |
Крутизна характеристики, S | 1.9 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet UMW SI2309A
pdf, 1985 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 июля1 | бесплатно |
HayPost | 16 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг