SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 40В 5.6А [SOT-23-3]
![Фото 1/7 SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-канал 40В 5.6А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763021.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/500/DOC036500330.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/582/DOC036582489.jpg)
425 ֏
198 ֏
от 100 шт. —
159 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 198 ֏
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 4,5А, 1,3Вт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.042Ом/4.3А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 233 КБ
Datasheet
pdf, 233 КБ
Datasheet Si2318CDS-T1-GE3
pdf, 236 КБ
Datasheet Si2318CDS
pdf, 232 КБ