SI2333CDS, Транзистор P-MOSFET 12В 5.1А 1.25Вт [SOT-23-3]
![SI2333CDS, Транзистор P-MOSFET 12В 5.1А 1.25Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3630 шт. с центрального склада, срок 9 дней
35 ֏
от 100 шт. —
31 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 35 ֏
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 28.5 мОм/5.1A, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 | |
| Крутизна характеристики, S | 18.5 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet SI2333CDS
pdf, 404 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 12 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 16 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
