SI2369DS-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 7.6 А, 0.024 Ом, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
209 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 627 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.024Ом |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 7.6А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.024Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 197 КБ
