SI4202DY-T1-GE3, MOSFET, NN CH, W/D, 30V, 12.1A, SO8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

980 ֏

Мин. кол-во для заказа 12 шт.

от 100 шт. — 650 ֏

Добавить в корзину 12 шт. на сумму 11 760 ֏

Номенклатурный номер: 8014217228

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0115Ом
Power Dissipation	3.7Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	12.1А
Пороговое Напряжение Vgs	1В
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.5