SI4483ADY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 19.2 А, 0.0127 Ом, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 340 ֏
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт. —
1 200 ֏
от 100 шт. —
890 ֏
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 12 060 ֏
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -15,4А, 3,8Вт, SO8 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Drain current | -15.4A |
| Drain-source voltage | -30V |
| Gate charge | 44.8nC |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 8.8mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 3.8W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 168 КБ
