SI4835DDY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 8.7 А, 0.014 Ом, SOIC, Surface Mount
![Фото 1/2 SI4835DDY-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 8.7 А, 0.014 Ом, SOIC, Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/792/DOC002792472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
1 520 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
1 340 ֏
от 100 шт. —
1 010 ֏
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 12 160 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
• P-channel 30V (D-S) MOSFET
• TrenchFET® power MOSFET
• 100% Rg and UIS tested
• Applicable for load switches, notebook PCs and desktop PCs
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.014Ом |
Power Dissipation | 2.5Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 8.7А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.014Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 171 КБ