SIHG20N50C-E3, Транзистор, N-канал 500В 20А [TO-247AC]

Фото 1/8 SIHG20N50C-E3, Транзистор, N-канал 500В 20А [TO-247AC]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 190 ֏
1 570 ֏
от 15 шт.1 490 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 570 ֏
Номенклатурный номер: 9000091928

Описание

Описание Транзистор полевой SIHG20N50C-E3 от известного производителя VISHAY представляет собой надежный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). Этот транзистор способен управлять током стока до 11 А и выдерживать напряжение между стоком и истоком до 560 В. С его помощью можно реализовать мощные схемы, так как он способен рассеивать до 250 Вт тепловой мощности. Отличительной особенностью является низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,27 Ом, что обеспечивает высокую эффективность при работе. Транзистор упакован в прочный корпус TO247AC, который гарантирует долговечность и стабильность параметров. Приобретая SIHG20N50CE3, вы получаете качественный компонент для вашего оборудования. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж THT
Ток стока, А 11
Напряжение сток-исток, В 560
Мощность, Вт 250
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.27
Корпус TO247AC

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 250
Крутизна характеристики, S 6.4
Корпус TO-247AC
Пороговое напряжение на затворе 3…5
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 156 КБ
Datasheet SIHG20N50C-E3
pdf, 200 КБ
Datasheet SiHG20N50C
pdf, 180 КБ