SKM150GB12V, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 231 А, 1.75 В, 175 °C, Module
![SKM150GB12V, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 231 А, 1.75 В, 175 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/405/DOC004405897.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 8-10 недель
123 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 123 000 ֏
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги2
Описание
Cиловой модуль. SEMITRANS. Максимальное напряжение 1200В, ток 150А.
Технические параметры
Вес, г | 180 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг