SM8S33ATHE3/I, Защитный диод [DO-218AC]
![Фото 1/3 SM8S33ATHE3/I, Защитный диод [DO-218AC]](https://static.chipdip.ru/lib/745/DOC033745584.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/877/DOC003877010.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/520/DOC006520656.jpg)
1 860 ֏
от 3 шт. —
1 790 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 860 ֏
Описание
Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения 8W, 33V 5%, SMD PAR
Технические параметры
Iпи - пиковый импульсный ток: | 124 A |
Pd - рассеивание мощности: | 8 W |
Pppm - пиковое рассеивание мощности: | 6.6 kW |
Vf - прямое напряжение: | 1.8 V |
Квалификация: | AEC-Q101 |
Количество каналов: | 1 Channel |
Коммерческое обозначение: | PAR |
Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
Напряжение пробоя: | 36.7 V |
Напряжение фиксации: | 53.3 V |
Подкатегория: | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
Полярность: | Unidirectional |
Производитель: | Vishay |
Рабочее напряжение: | 33 V |
Размер фабричной упаковки: | 3600 |
Серия: | SM8S_AT |
Тип выводов: | SMD/SMT |
Тип продукта: | ESD Suppressors |
Торговая марка: | Vishay General Semiconductor |
Упаковка / блок: | DO-218AB-2 |
Вес, г | 3.19 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 106 КБ
sm8s10at
pdf, 103 КБ
Диоды защитные импортные
pdf, 732 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ