SPD06N80C3ATMA1, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK]
![Фото 1/4 SPD06N80C3ATMA1, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/240/DOC004240405.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/004/DOC021004374.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/811/DOC024811189.jpg)
1 460 ֏
1 030 ֏
от 15 шт. —
1 010 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 030 ֏
Описание
This Infineon Cool MOS MOSFET uses new revolutionary high voltage technology and has high peak current capability.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.9 Ом/3.8А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 | |
Крутизна характеристики, S | 4 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Пороговое напряжение на затворе | 2.1…3.9 | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 563 КБ
Datasheet
pdf, 326 КБ
Документация
pdf, 613 КБ
Datasheet SPD06N80C3
pdf, 318 КБ