SPD50N03S207GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 136Вт; PG-TO252-3
![Фото 1/2 SPD50N03S207GBTMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; 136Вт; PG-TO252-3](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955416.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/850/DOC004850580.jpg)
670 ֏
1 шт.
на сумму 670 ֏
Описание
Описание Транзистор полевой SPD50N03S207GBTMA1 от производителя INFINEON представляет собой высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Этот мощный транзистор способен выдерживать ток стока до 50 А и напряжение сток-исток до 30 В, обеспечивая при этом мощность до 136 Вт. С низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0073 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и сниженные потери мощности. Встроенный в надежный корпус DPAK|PG-TO252-3, SPD50N03S207GBTMA1 является отличным выбором для широкого спектра электронных применений. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 50 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Мощность, Вт | 136 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0073 |
Корпус | DPAK, PG-TO252-3 |
Технические параметры
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Мощность, Вт | 136 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0073 |
Тип | полевой |
Ток стока, А | 50 |
Вес, г | 0.025 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1181 КБ