SPP17N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 17А 0.29Ом [TO-220AB]
![Фото 1/9 SPP17N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 17А 0.29Ом [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330092.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395416.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086743.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172664.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/482/DOC028482387.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/440/DOC034440069.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514979.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/440/DOC034440073.jpg)
4 670 ֏
3 110 ֏
от 15 шт. —
3 070 ֏
1 шт.
на сумму 3 110 ֏
Описание
Силовые транзисторы CoolMOS ™
В силовых транзисторах Infineon CoolMOS ™ используется революционная технология CoolMOS ™ для высоковольтных полевых МОП-транзисторов, разработанная по принципу суперперехода (SJ) и впервые разработанная Infineon. Силовые транзисторы CoolMOS ™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика полевых МОП-транзисторов SJ с первоклассными инновациями. Полученные в результате устройства обеспечивают все преимущества быстродействующего полевого МОП-транзистора SJ, не жертвуя при этом простотой использования. Чрезвычайно низкие коммутационные потери и потери проводимости делают коммутационные устройства еще более эффективными, компактными, легкими и холодными.
В силовых транзисторах Infineon CoolMOS ™ используется революционная технология CoolMOS ™ для высоковольтных полевых МОП-транзисторов, разработанная по принципу суперперехода (SJ) и впервые разработанная Infineon. Силовые транзисторы CoolMOS ™ C6 и E6 сочетают в себе опыт ведущего поставщика полевых МОП-транзисторов SJ с первоклассными инновациями. Полученные в результате устройства обеспечивают все преимущества быстродействующего полевого МОП-транзистора SJ, не жертвуя при этом простотой использования. Чрезвычайно низкие коммутационные потери и потери проводимости делают коммутационные устройства еще более эффективными, компактными, легкими и холодными.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.29 Ом/11А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 | |
Крутизна характеристики, S | 15 | |
Корпус | PG-TO220 | |
Пороговое напряжение на затворе | 3.9 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 491 КБ
Datasheet
pdf, 494 КБ
Datasheet SPA17N80C3
pdf, 779 КБ
Datasheet SPP17N80C3XKSA1
pdf, 491 КБ
Datasheet SPP17N80C3
pdf, 333 КБ