SPW20N60C3FKSA1, Транзистор, N-канал 600В 20А 190мОм [TO-247]
![Фото 1/5 SPW20N60C3FKSA1, Транзистор, N-канал 600В 20А 190мОм [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/214/DOC001214208.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/730/DOC033730299.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/730/DOC033730303.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/730/DOC033730307.jpg)
5 400 ֏
3 940 ֏
от 15 шт. —
3 910 ֏
1 шт.
на сумму 3 940 ֏
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20.7 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом/13.1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 | |
Крутизна характеристики, S | 17.5 | |
Корпус | PG-TO247 | |
Пороговое напряжение на затворе | 3.9 | |
Вес, г | 7.5 |