SPW24N60C3FKSA1, Транзистор, N-канальный, 24.3 А, 650 В, 0.14 Ом, 10 В, 3 В, [TO-247]
![Фото 1/4 SPW24N60C3FKSA1, Транзистор, N-канальный, 24.3 А, 650 В, 0.14 Ом, 10 В, 3 В, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/589/DOC044589844.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/539/DOC007539399.jpg)
6 400 ֏
4 510 ֏
от 15 шт. —
4 440 ֏
1 шт.
на сумму 4 510 ֏
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.16 Ом/15.4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 240 | |
Крутизна характеристики, S | 24 | |
Корпус | PG-TO247 | |
Пороговое напряжение на затворе | 3.9 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Документация
pdf, 807 КБ
Datasheet SPW24N60C3
pdf, 805 КБ