SPW35N60C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 34.6А [TO-247]
![Фото 1/5 SPW35N60C3FKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 650В 34.6А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921185.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC026975034.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC026975042.jpg)
10 500 ֏
7 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 700 ֏
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 34.6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/21.9А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 313 | |
Корпус | PG-TO247 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 760 КБ
Datasheet SPW35N60C3FKSA1
pdf, 760 КБ
Datasheet SPW35N60C3
pdf, 754 КБ