SPW47N60C3FKSA1, Транзистор, N-канал 650В 47А 70мОм [TO-247]
![Фото 1/8 SPW47N60C3FKSA1, Транзистор, N-канал 650В 47А 70мОм [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211904.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/921/DOC002921185.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/179/DOC007179527.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/959/DOC028959609.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758128.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/589/DOC044589844.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/909/DOC032909717.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/909/DOC032909725.jpg)
9 700 ֏
6 600 ֏
от 10 шт. —
6 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 600 ֏
Описание
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 47 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.07 Ом/30А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 415 | |
Крутизна характеристики, S | 40 | |
Корпус | PG-TO247 | |
Пороговое напряжение на затворе | 3.9 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 824 КБ
Datasheet SPW47N60C3FKSA1
pdf, 828 КБ
Datasheet SPW47N60C3
pdf, 244 КБ