STT2200N18P55XPSA1, Thyristor Diode Module, Series Connected- SCR, 1.8kV, 21A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
411 000 ֏
1 шт.
на сумму 411 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\Тиристоры\Тиристоры - Модули SCR
Дискретные полупроводниковые модули
Технические параметры
Repetitive Peak Reverse Voltage | 1.8кВ |
Thyristor Mounting | Panel |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальное Значение Напряжения Vrrm | 1.8кВ |
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt | 2В |
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt | 200мА |
Максимальный Ток Удержания Ih | 300мА |
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm | 1.8кВ |
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц | 21А |
Стиль Корпуса Тиристора | Модуль |
Другие названия товара № | IPT60R125CFD7 SP005346348 |
Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet STT2200N18P55XPSA1
pdf, 920 КБ
Диодно-тиристорные модули Crydom
pdf, 187 КБ