TD9944TG-G, Двойной МОП-транзистор, N Channel, 240 В, 240 В, 4 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 200 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 25 шт. —
1 810 ֏
от 100 шт. —
1 600 ֏
6 шт.
на сумму 13 200 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 240V 1A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance N Channel | 4Ом |
Drain Source On State Resistance P Channel | 4Ом |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 240В |
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 240В |
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 240В |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 4Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | NSOIC |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Brand | Microchip Technology |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Dual Dual Drain |
Factory Pack Quantity | 3300 |
Fall Time | 10 ns |
Id - Continuous Drain Current | 1 A |
Manufacturer | Microchip |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 2 Channel |
Package / Case | SOIC-8 |
Packaging | Cut Tape |
Product | MOSFET Small Signal |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 6 Ohms |
Rise Time | 10 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
Unit Weight | 0.002998 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 240 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet TD9944TG-G
pdf, 617 КБ
Документация
pdf, 621 КБ