TK55S10N1,LQ(O, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 55 А, 0.0055 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
![TK55S10N1,LQ(O, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 55 А, 0.0055 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172973.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5827 шт., срок 8-10 недель
2 140 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 12 840 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0055Ом |
Power Dissipation | 157Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 55А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 157Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0055Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 268 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг