TPH8R80ANH,L1Q(M, MOSFET, N-CH, 100V, 59A, SOP
![TPH8R80ANH,L1Q(M, MOSFET, N-CH, 100V, 59A, SOP](https://static.chipdip.ru/lib/637/DOC021637074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4155 шт., срок 9-11 недель
1 320 ֏
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
9 шт.
на сумму 11 880 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0074Ом |
Power Dissipation | 61Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 59А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOP |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 29 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг