ZTX1051A, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 4 А, 1 Вт, E-Line, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 020 ֏

Мин. кол-во для заказа 12 шт.

от 100 шт. — 680 ֏

12 шт. на сумму 12 240 ֏

Номенклатурный номер: 8554053603

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Current

Pd - рассеивание мощности	1 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	4.01 mm
Длина	4.77 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	290 at 10 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 190 at 4 A
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	290 at 10 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	4 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	155 MHz
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	ZTX1051
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92-3
Ширина	2.41 mm
Вес, г	0.181