ZTX792ASTZ, Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 2 А, 1.5 Вт, E-Line, Through Hole

Фото 1/2 ZTX792ASTZ, Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 2 А, 1.5 Вт, E-Line, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 020 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 100 шт.800 ֏
10 шт. на сумму 10 200 ֏
Номенклатурный номер: 8017148170
Бренд: DIODES INC.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 70В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 200hFE
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Power Dissipation 1.5Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции ZTX Series
Максимальная Рабочая Температура 200°C
Монтаж транзистора Through Hole
Полярность Транзистора PNP
Стиль Корпуса Транзистора E-Line
Частота Перехода ft 100МГц
Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 70 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -2 A
DC Collector/Base Gain hFE Min: 300 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max: 300 at 10 mA, 2 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: 2000
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-92-3
Packaging: Reel, Cut Tape
Pd - Power Dissipation: 1 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 0.4536

Техническая документация

Datasheet
pdf, 66 КБ