ZUMTS17NTA, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 11 В, 3.2 ГГц, 310 мВт, 50 мА, SOT-323
![ZUMTS17NTA, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 11 В, 3.2 ГГц, 310 мВт, 50 мА, SOT-323](https://static.chipdip.ru/lib/173/DOC012173899.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
300 ֏
25 шт.
на сумму 14 500 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы
Биполярные транзисторы - BJT SINGLE NPN 3.2GHz 330mW
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 11В |
Continuous Collector Current | 50мА |
DC Current Gain hFE Min | 56hFE |
DC Ток Коллектора | 50мА |
DC Усиление Тока hFE | 56hFE |
Power Dissipation | 310мВт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-323 |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 11В |
Полярность Транзистора | NPN |
Рассеиваемая Мощность | 310мВт |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Частота Перехода ft | 3.2ГГц |
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 56 |
Конфигурация | Single |
Максимальный постоянный ток коллектора | 50 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 11 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
Подкатегория | Transistors |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3.2 GHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | ZUMTS17 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet ZUMTS17NTA
pdf, 216 КБ