ZUMTS17NTA, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 11 В, 3.2 ГГц, 310 мВт, 50 мА, SOT-323

ZUMTS17NTA, Биполярный - РЧ транзистор, NPN, 11 В, 3.2 ГГц, 310 мВт, 50 мА, SOT-323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.300 ֏
25 шт. на сумму 14 500 ֏
Номенклатурный номер: 8016697865
Бренд: DIODES INC.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные РЧ Транзисторы
Биполярные транзисторы - BJT SINGLE NPN 3.2GHz 330mW

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 11В
Continuous Collector Current 50мА
DC Current Gain hFE Min 56hFE
DC Ток Коллектора 50мА
DC Усиление Тока hFE 56hFE
Power Dissipation 310мВт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора SOT-323
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 11В
Полярность Транзистора NPN
Рассеиваемая Мощность 310мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности -
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Частота Перехода ft 3.2ГГц
Pd - рассеивание мощности 330 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 56
Конфигурация Single
Максимальный постоянный ток коллектора 50 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO) 20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 11 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V
Подкатегория Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 3.2 GHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия ZUMTS17
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-323-3
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet ZUMTS17NTA
pdf, 216 КБ