ZVP3310A, Транзистор, MOSFET, P-канальный, 100 В, 0.14 А, 0.625 Вт, [TO-92-3]
![Фото 1/5 ZVP3310A, Транзистор, MOSFET, P-канальный, 100 В, 0.14 А, 0.625 Вт, [TO-92-3]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299941.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 940 ֏
1 200 ֏
от 10 шт. —
1 190 ֏
1 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Power MOSFETs Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.14 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20 Ом/0.15А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.625 | |
| Крутизна характеристики, S | 0.05 | |
| Корпус | E-Line-3/TO-92 | |
| Вес, г | 0.3 |
