ZX5T955ZTA, Биполярный транзистор, PNP, 140 В, 3 А, 2.1 Вт, SOT-89, Surface Mount

Фото 1/2 ZX5T955ZTA, Биполярный транзистор, PNP, 140 В, 3 А, 2.1 Вт, SOT-89, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
970 ֏
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 100 шт.640 ֏
12 шт. на сумму 11 640 ֏
Номенклатурный номер: 8016498460
Бренд: DIODES INC.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 140V PNP Lw Saturatn Med power transistor

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 140В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 45hFE
DC Усиление Тока hFE 45hFE
Power Dissipation 2.1Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции ZX Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора PNP
Стиль Корпуса Транзистора SOT-89
Частота Перехода ft 120МГц
Pd - рассеивание мощности 2100 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.6 mm
Длина 4.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 5 at - 10 A, - 5 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300 at - 1 A, - 5 V
Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 140 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 37 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A
Подкатегория Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 120 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия ZX5T955
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.6 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet ZX5T955ZTA
pdf, 245 КБ