ZXT13N50DE6, TRANSISTOR, NPN, SOT23-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 ֏
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 100 шт. —
489 ֏
15 шт.
на сумму 11 250 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| Continuous Collector Current | 4А |
| DC Current Gain hFE Min | 450hFE |
| Power Dissipation | 1.1Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Частота Перехода ft | 115МГц |
| Вес, г | 0.033 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 798 КБ
