ZXT953KTC, Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 5 А, 4.2 Вт, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 500 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
1 280 ֏
от 100 шт. —
1 020 ֏
8 шт.
на сумму 12 000 ֏
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP 100V
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| Continuous Collector Current | 5А |
| DC Current Gain hFE Min | 15hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 15hFE |
| Power Dissipation | 4.2Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Частота Перехода ft | 125МГц |
| Pd - рассеивание мощности | 4200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 335 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | ZXT953 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet ZXT953KTC
pdf, 359 КБ
