ZXTP2013ZTA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

930 ֏

от 5 шт. — 750 ֏

1 шт. на сумму 930 ֏

Номенклатурный номер: 9001317649

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT 100V PNP Low Sat

Pd - рассеивание мощности	2100 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.6 mm
Длина	4.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	240 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	3.5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	125 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	ZXTP201
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.6 mm
Вес, г	0.052