IRF7495TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3A 8-Pin SOIC лента на катушке
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 ֏
750 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 16 шт. —
620 ֏
от 32 шт. —
570 ֏
от 64 шт. —
540 ֏
3 шт.
на сумму 2 250 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3A 8-Pin SOIC лента на катушке
Технические параметры
| Корпус | so-8 | |
| Brand: | Infineon Technologies | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 | |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.3 A | |
| Manufacturer: | Infineon | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | SOIC-8 | |
| Part # Aliases: | IRF7495TRPBF SP001565412 | |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
| Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 155 КБ
