IRFR2407TRPBF, транзистор N канал 75В 42А DPak

Фото 1/6 IRFR2407TRPBF, транзистор N канал 75В 42А DPak
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
750 ֏
580 ֏
Кратность заказа 3 шт.
от 30 шт.291 ֏
3 шт. на сумму 1 740 ֏
Номенклатурный номер: 8000435454

Описание

транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 75В 42A 110Вт 0,026Ом TO252AA

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 42
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Корпус dpak
Крутизна характеристики S,А/В 27
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 26
Температура, С -55…+175
Brand: Infineon/IR
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Fall Time: 66 ns
Id - Continuous Drain Current: 42 A
Manufacturer: Infineon
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-252-3
Part # Aliases: IRFR2407TRPBF SP001556854
Pd - Power Dissipation: 110 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 74 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 26 mOhms
Rise Time: 90 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 65 ns
Typical Turn-On Delay Time: 16 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 75 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.8 V
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 42 A
Maximum Drain Source Voltage 75 V
Mounting Type PCB Monut
Package Type TO-252-3
Вес, г 0.66

Техническая документация

Datasheet
pdf, 387 КБ
Документация
pdf, 387 КБ