SI9945BDY-T1-GE3, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А
![Фото 1/4 SI9945BDY-T1-GE3, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728394.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762060.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762072.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/704/DOC038704451.jpg)
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 20 шт. —
489 ֏
от 40 шт. —
423 ֏
от 79 шт. —
396 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 320 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А
Технические параметры
Корпус | so-8 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 5.3 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 72 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 3.1 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 2 | |
Package Type | SOIC | |
Pin Count | 8 | |
Transistor Configuration | Isolated | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
Width | 4mm | |
Вес, г | 0.25 |