SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
76 ֏
Мин. кол-во для заказа 28 шт.
от 130 шт. —
58 ֏
от 259 шт. —
54 ֏
от 518 шт. —
49 ֏
28 шт.
на сумму 2 128 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | P | |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 35 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 8 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V, 20 nC @ 8 V | |
| Width | 1.4mm | |
| Вес, г | 0.04 |
