FZT851TA, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А, 3Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 ֏
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 28 шт. —
308 ֏
от 55 шт. —
286 ֏
от 110 шт. —
269 ֏
6 шт.
на сумму 2 220 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А, 3Вт
Технические параметры
| Корпус | SOT-223 | |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1.65 mm | |
| Длина | 6.7 mm | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 10 A, 1 V | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 150 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 375 mV | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V | |
| Непрерывный коллекторный ток | 6 A | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | NPN | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Серия | FZT851 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | Diodes Incorporated | |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 | |
| Ширина | 3.7 mm | |
| Base Product Number | FZT851 -> | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6A | |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V | |
| ECCN | EAR99 | |
| Frequency - Transition | 130MHz | |
| HTSUS | 8541.29.0075 | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA | |
| Power - Max | 3W | |
| REACH Status | REACH Affected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | SOT-223 | |
| Transistor Type | NPN | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 375mV @ 300mA, 6A | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V | |
| Brand | Diodes Incorporated | |
| Collector- Base Voltage VCBO | 150 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 375 mV | |
| Configuration | Single | |
| Continuous Collector Current | 6 A | |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 25 at 10 A, 1 V | |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Gain Bandwidth Product FT | 130 MHz | |
| Manufacturer | Diodes Incorporated | |
| Maximum DC Collector Current | 20 A | |
| Maximum Operating Temperature | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Packaging | Cut Tape or Reel | |
| Pd - Power Dissipation | 3 W | |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT | |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors | |
| Series | FZT851 | |
| Subcategory | Transistors | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage | 150 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V | |
| Maximum Power Dissipation | 3 W | |
| Minimum DC Current Gain | 100 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Pin Count | 3+Tab | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 58 КБ
Datasheet FZT851TA
pdf, 449 КБ
Datasheet FZT851TA
pdf, 457 КБ
Datasheet FZT851TA
pdf, 533 КБ
