SI4465ADY-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 120 ֏
Мин. кол-во для заказа 130 шт.
Добавить в корзину 130 шт.
на сумму 145 600 ֏
Описание
МОП-транзистор 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | NRND |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Package Width | 4(Max) |
| Package Length | 5(Max) |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Package Height | 1.55(Max) |
| Mounting | Surface Mount |
| PCB changed | 8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Process Technology | TrenchFET |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 8 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 13.7 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9@4.5V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 55@4.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Typical Fall Time (ns) | 112 |
| Typical Rise Time (ns) | 170 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 168 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 33 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC N |
| Pin Count | 8 |
| Military | No |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Другие названия товара № | SI4465ADY-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | SI4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Ширина | 3.9 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SI4465ADY-T1-GE3
pdf, 692 КБ
Datasheet SI4465ADY-T1-GE3
pdf, 693 КБ
