BC847CDLP-7, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R

Фото 1/3 BC847CDLP-7, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
102 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт. на сумму 306 000 ֏
Номенклатурный номер: 8001014361
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 45V

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.21.00.75
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Configuration Dual
Number of Elements per Chip 2
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 45
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Minimum DC Current Gain 420@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 350
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Standard Package Name DFN
Pin Count 6
Supplier Package DFN
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.35(Max)
Package Length 1.3
Package Width 1
PCB changed 6
Lead Shape No Lead
Pd - рассеивание мощности 350 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.35 mm (Max)
Длина 1.3 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 420
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 800
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 900 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC847C
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок DFN1310H4-6
Ширина 1 mm
Base Product Number BC847 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 6-XFDFN Exposed Pad
Power - Max 350mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package X2-DFN1310-6 (Type B)
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Collector Emitter Voltage Max NPN 45В
Collector Emitter Voltage Max PNP -
Continuous Collector Current NPN 100мА
Continuous Collector Current PNP -
DC Current Gain hFE Min NPN 420hFE
DC Current Gain hFE Min PNP -
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 420hFE
Power Dissipation NPN 350мВт
Power Dissipation PNP -
Transition Frequency NPN 100МГц
Transition Frequency PNP -
Квалификация -
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 45В
Рассеиваемая Мощность 350мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности -
Стиль Корпуса Транзистора X2-DFN1310
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 194 КБ
Datasheet BC847CDLP-7
pdf, 189 КБ
Datasheet BC847CDLP-7
pdf, 198 КБ